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专利摘要

本发明涉及一种双连续相SiC/Cu复合材料的方法，属于无压浸渗技术领域。本发明的双连续相SiC/Cu复合材料的方法，包括以下步骤：将SiC多孔陶瓷和铜基金属作为预浸渗体；然后采用碳化硅砂对预浸渗体进行填埋使预浸渗体的底部和周围分布碳化硅砂，在无氧环境下升温进行无压浸渗，无压浸渗完成后，降温即得双连续相SiC/Cu复合材料。本发明的方法工艺简单，易于实现，且操作过程简单，以碳化硅砂作为模具材料，有助于通过高温无氧条件下无压浸渗提高铜基复合材料力学性能时，避免氧化物砂在高温无氧环境下发生脱氧反应，导致模具坍塌失效；同时还可以减少模具材料跟预浸渗体中SiC多孔陶瓷发生反应。 ......

基本信息

专利类型:
发明专利
申请/专利号:
CN202111064068.2
申请日期:
2021-09-10
专利申请人:
河南科技大学
分类号:
C22C1/10 ; C22C9/00 ; C22C9/02 ; C22C9/04 ; C22C32/00
发明/设计人:
傅丽华，周孟，张永振，杜三明，刘建，贺甜甜，岳赟，倪锋，毛艳珊
权利要求: 1.一种双连续相SiC/Cu复合材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：将SiC多孔陶瓷和铜基金属作为预浸渗体；然后采用碳化硅砂对预浸渗体进行填埋使预浸渗体的底部和周围分布碳化硅砂，在无氧环境下升温进行无压浸渗，无压浸渗完成后，降温即得双连续相SiC/Cu复合材料；所述无氧环境通过向环境中充入氩气形成；所述填埋通过以下方式实现：在坩埚底部铺设一层碳化硅砂，然后将预浸渗体放置在坩埚底部的碳化硅砂上，并在预浸渗体周围填满碳化硅砂，压实即可。2.根据权利要求1所述的双连续相SiC/Cu复合材料的方法，其特征在于，所述碳化硅砂的平均粒径为1～1.5mm。3.根据权利要求1所述的双连续相SiC/Cu复合材料的方法，其特征在于，所述无压浸渗的温度为铜基金属熔点以上50～300℃。4.根据权利要求1所述的双连续相SiC/Cu复合材料的方法，其特征在于，所述SiC多孔陶瓷的孔隙率为80～90％。5.根据权利要求1-4中任意一项所述的双连续相SiC/Cu复合材料的方法，其特征在于，所述SiC多孔陶瓷的孔密度为10～20ppi；所述SiC多孔陶瓷的平均孔径为1.6～2.5mm。6.根据权利要求1所述的双连续相SiC/Cu复合材料的方法，其特征在于，所述铜基金属为锡青铜。7.根据权利要求1或6所述的双连续相SiC/Cu复合材料的方法，其特征在于，所述无氧环境下无压浸渗的温度为1100～1200℃；所述无氧环境下无压浸渗的时间为30～90min。8.根据权利要求1-4中任意一项所述的双连续相SiC/Cu复合材料的方法，其特征在于，所述升温的速度为4～6℃/min。