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专利摘要

本发明公开了一种铁掺杂二硫化钨复合薄膜，该复合薄膜通过以下方法制备得到：1）采用超声清洗法清洗基片；2）用氩等离子体溅射清洗基片；3）开启中频电源，在中频电流为2.00？A，氩气流量为80~90？sccm，工作压强为2.50~3.00？Pa，偏压为-200~-250？V，靶材与基片距离为8.00cm~8.50？cm的条件下溅射孪生Ti靶，沉积厚度为20~250？nm的纯Ti过渡层；4）关闭上述中频电源，继续通氩气于真空室中，在工作压强为1.50~2.50？Pa的条件下，保持脉冲直流偏压为-200~-250？V，开启射频电源，在电场作用下产生紫红色辉光，生成含有Ar的等离子体，继而溅射由Fe和WS2组成的复合靶材，溅射时间为25~90？min。本发明所述薄膜具有十分优异的摩擦学性能，结构致密，与基底材料的结合牢固，具有良好的应用前景。 ......

基本信息

专利类型:
发明专利
申请/专利号:
CN201510949156.9
申请日期:
2015-12-18
专利申请人:
中国科学院兰州化学物理研究所
分类号:
C23C14/34;C23C14/16
发明/设计人:
郝俊英，孔良桂，徐书生，刘维民
权利要求: 1.一种铁掺杂二硫化钨复合薄膜，其特征在于该复合薄膜通过以下方法制备得到：1）采用超声清洗法分别在无水乙醇和丙酮溶液中清洗基片，吹干后置于沉积室中，进行抽真空；2）当腔室内真空度低于5×10-4Pa时，通氩气于真空室中，在占空比65%~75%、脉冲直流偏压-700~-1000V的条件下用氩等离子体溅射清洗基片10~15min；3）开启中频电源，在中频电流为2.00A，氩气流量为80~90sccm，工作压强为2.50~3.00Pa，偏压为-200~-250V，靶材与基片距离为8.00cm~8.50cm的条件下溅射孪生Ti靶，沉积厚度为20~250nm的纯Ti过渡层；4）关闭上述中频电源，继续通氩气于真空室中，在工作压强为1.50~2.50Pa的条件下，保持脉冲直流偏压为-200~-250V，开启射频电源，在电场作用下产生紫红色辉光，生成含有Ar的等离子体，继而溅射由Fe和WS2组成的复合靶材，溅射时间为25~90min。2.如权利要求1所述的复合薄膜，其特征在于所述基片为单晶硅片或经机械抛光的不锈钢片。3.如权利要求1所述的复合薄膜，其特征在于所述射频电源的功率密度为0.0306W/mm2~0.0357W/mm2。4.如权利要求1所述的复合薄膜，其特征在于所述复合靶材中Fe靶与WS2靶的面积比为1/8~1/12。