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专利摘要

本发明公开了一种铜基氟化石墨烯耐蚀薄膜及其原位制备方法与应用。所述原位制备方法包括：提供铜基底并置于化学气相生长设备的反应室内，再向所述反应室内通入碳源气体和氢气，通过化学气相沉积法在所述铜基底表面生长形成石墨烯层；之后向所述反应室内通入氟气和载气，从而对所述石墨烯层进行原位氟化刻蚀处理，获得铜基氟化石墨烯耐蚀薄膜。本发明的制备方法简单且安全性好，同时可以通过改变反应温度、时间、压力等条件来调整铜基氟化石墨烯薄膜中氟元素的含量及碳‑氟键成键类型。本发明的铜基氟化石墨烯耐蚀薄膜具有氟化均匀，质量高、耐蚀性能周期长等优点，同时可服役于海洋等严苛环境，适用于工业化推广使用。 ......

基本信息

专利类型:
发明专利
申请/专利号:
CN201911301373.1
申请日期:
2019-12-17
专利申请人:
中国科学院宁波材料技术与工程研究所 ; 山东重山光电材料股份有限公司
分类号:
C23C16/26 ; C23C16/56 ; C23C16/02 ; C23F15/00
发明/设计人:
赵文杰，吴杨敏，王立平，刘超，方治文，薛群基
权利要求: 1.一种铜基氟化石墨烯耐蚀薄膜的原位制备方法，其特征在于包括：提供铜基底并置于化学气相生长设备的反应室内；向所述反应室内通入碳源气体和氢气，通过化学气相沉积法在所述铜基底表面生长形成石墨烯层；之后向所述反应室内通入氟气和载气，从而对所述石墨烯层进行原位氟化刻蚀处理，获得铜基氟化石墨烯耐蚀薄膜，其中进行氟化刻蚀处理时，反应室内的温度为20～200℃，氟化刻蚀处理的时间为5～100min。2.根据权利要求1所述的原位制备方法，其特征在于包括：将铜基底置于所述反应室内并使所述反应室升温至600～1000℃，保持所述反应室内的压力为50～80Pa。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述碳源气体与氢气的体积比为1:50～1:10；和/或，所述碳源气体包括CH4。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述载气包括惰性气体；和/或，所述氟气与载气的体积比为1:20～1:1；和/或，所述制备方法还包括：先对所述铜基底进行超声清洗处理，干燥后再置于所述反应室内。5.权利要求1-4中任一项所述方法制备的铜基氟化石墨烯耐蚀薄膜，其特征在于，所述铜基氟化石墨烯耐蚀薄膜中F元素含量为0-50％。6.权利要求1所述的铜基氟化石墨烯耐蚀薄膜于基体表面防护领域的用途。