润滑科技信息平台

专利摘要

超滑基本结构，包括基底和位于基底上的多个岛状结构，其中每个岛状结构均具有至少一个超滑剪切面，所述超滑剪切面的上下接触面处于非公度接触状态；一种多级超滑结构，所述多级超滑基本结构包括所述多个超滑基本结构，多个超滑基本结构通过并排扩展、独立式叠加、公用式叠加或其组合的方式形成多级超滑结构；所述超滑基本结构的形成方法，包括如下步骤：提供基底、制备岛状结构并使所述岛状结构达到与基底连接的状态、检测所述岛状结构是否具有超滑剪切面、去除不具有超滑剪切面的岛。所述超滑基本结构突破了微观超滑的局限，达到大尺度、大滑移行程的超滑。 ......

基本信息

专利类型:
发明专利
申请/专利号:
PCT/CN2013/079132
申请日期:
2013-07-10
专利申请人:
清华大学
分类号:
F16S1/10; C23C16/40; C23C16/44
发明/设计人:
郑泉水，董华来，刘泽，江博，王稳
权利要求: 权利要求书1.一种超滑基本结构，包括基底，和位于基底上的多个岛状结构，其中每个岛状结构均具有至少一个超滑剪切面，所述超滑剪切面的上下接触面处于非公度接触状态。2.根据权利要求 1 所述的结构，其中所述单个岛状结构的直径为 1μιη~30μιη、高度为 10ηιη~10μιη。3.根据权利要求 1 所述的结构，其特征在于，相邻岛状结构之间的平均间隔为 1μηι~100μιη。4.根据权利要求 1 所述的结构，其中每个岛状结构包括在其端部的保护层。5.根据权利要求 1 所述的结构，其中所述多个岛状结构与基底为一体6.根据权利要求 1所述的结构，其中所述岛状结构为石墨材料。7.根据权利要求 1 所述的结构，其中所述岛状结构材料内部原子有局部存在层间非公度接触的可能；或者所述岛状结构在剪切面铺有石墨或石墨烯。8. 根据权利要求 1所述的结构，其中所述岛状结构的超滑剪切面的上下接触面的面积可以相同或不同。9.根据权利要求 1所述的结构，还包括覆盖所述岛状结构的支撑层。10.根据权利要求 1至 9所述的结构，其中，所述基底和支撑层为平面、曲面或柔性可变形的片状固体材料。11.一种多级超滑结构，其特征在于：所述多级超滑结构包括多个权利要求 1~10任一项所述的超滑基本结构，所述多个超滑基本结构通过并排扩展、独立式叠加、共用式叠加或其组合的方式形成多级超滑结构，其中，所述并排扩展式组成方式为将多个所述超滑基本结构并排分布在一个全局基底和一个全局支撑层之间，所述全局基底和所述全局支撑层为平面、曲面或柔性可变形的片状固体材料，所述全局基底连接到所有的所述超滑基本结构的所述基底，所述全局支撑层连接到所有的所述超滑基本结构的所述支撑层；所述独立式叠加组成方式为将第 N个所述超滑基本结构的所述支撑层和第 N+1个所述超滑基本结构的所述基底相连接；所述共用式叠加组成方式为将第 N个所述超滑基本结构的所述支撑层同时作为第 N+1个所述超滑基本结构的所述基底。12.—种具有超滑结构的器件，包括根据权利要求 1至 11任意之一所述的结构，还包括位于最底层基底下方的第一部件，和位于最顶层岛状结构或岛状结构的支撑层上的第二部件。13.—种制造超滑基本结构的方法，包括如下步骤：步骤 1，提供基底；步骤 2，制备岛状结构并使所述岛状结构达到与基底连接的状态；步骤 3，检测所述岛状结构是否具有超滑剪切面；步骤 4，去除不具有超滑剪切面的岛。14. 根据权利要求 13所述的方法，其中，所述步骤 2包括：步骤 2-1，在所述基底上依次覆盖光刻胶；步骤 2-2，构图所述光刻胶，保留多个光刻胶岛；步骤 2-3，刻蚀所述基底，以去除未被光刻胶保护的部分基底，从而形成多个岛状结构。15.根据权利要求 14所述的方法，其中所述步骤 2-1包括：依次在所述基底上覆盖保护层和光刻胶；所述步骤 2-3 包括：刻蚀所述基底，以去除未被光刻胶保护的保护层和部分基底，从而形成多个岛状结构。16. 根据权利要求 15所述的方法，所述步骤 2-1包括利用等离子体化学气相沉积法在所述基底上沉积 Si02保护层，以及利用旋转涂布法进行光刻胶涂布；所述步骤 2-2包括利用电子束刻蚀构图所述光刻胶；所述步骤 2-3包括利用反应离子刻蚀法刻蚀所述基底。17. 根据权利要求 13所述的方法，还包括在所述岛状结构上设置支撑层的步骤。18.根据权利要求 13所述的方法，其中所述岛状结构为石墨材料。19.根据权利要求 13所述的方法，其中所述岛状结构材料内部原子有局部存在层间非公度接触的可能；或者所述岛状结构在剪切面铺有石墨或石墨烯。