本申请涉及射频开关领域,公开了一种RF MEMS开关和电子设备,包括悬臂梁;设于悬臂梁自由端的第一触点;与第一触点相对设置的第二触点;第一触点和第二触点接触时为结构超滑接触;用于驱动悬臂梁的自由端产生位移,使第一触点和第二触点接触或分离的驱动电极。本申请中第一触点、第二触点中至少一个为内部为层状结构的触点,第一触点与第二触点接触时为结构超滑接触,第一触点与第二触点之间摩擦几乎接近零、磨损为零,使得第一触点与第二触点使用寿命延长,从而延长RF MEMS开关的使用寿命。 ......

  • 专利类型:

    发明专利

  • 申请/专利号:

    CN202211581481.0

  • 申请日期:

    2022-12-09

  • 专利申请人:

    ["深圳清华大学研究院","清华大学"]

  • 分类号:

    H01H1/06 ; H01H1/14 ; H01H1/02 ; H01H59/00

  • 发明/设计人:

    向小健郑泉水

  • 权利要求: 1.一种RF MEMS开关,其特征在于,包括:悬臂梁;设于所述悬臂梁自由端的第一触点;与所述第一触点相对设置的第二触点;所述第一触点和所述第二触点接触时为结构超滑接触;用于驱动所述悬臂梁的自由端产生位移,使所述第一触点和所述第二触点接触或分离的驱动电极。2.如权利要求1所述的RF MEMS开关,其特征在于,当所述第一触点、所述第二触点中至少一个触点为内部为层状结构的触点,还包括:围绕在所述内部为层状结构的触点侧表面的导电包裹层。3.如权利要求2所述的RF MEMS开关,其特征在于,还包括:凸起,所述凸起与所述第一触点连接且与所述第二触点相对设置,和/或,所述凸起与所述第二触点连接且与所述第一触点相对设置;所述凸起与所述第一触点、所述第二触点相对的表面为原子级光滑的表面。4.如权利要求3所述的RF MEMS开关,其特征在于,所述凸起与所述第一触点、所述第二触点相对的表面为弧形表面。5.如权利要求3所述的RF MEMS开关,其特征在于,所述凸起与所述第一触点、所述第二触点相对的表面为平面。6.如权利要求3所述的RF MEMS开关,其特征在于,所述导电包裹层的高度大于第一高度且小于或等于第二高度;其中,所述第一高度为所述第一触点或所述第二触点的高度,所述第二高度为所述凸起与所述第一触点的高度之和,或者所述第二高度为所述凸起与所述第二触点的高度之和。7.如权利要求1所述的RF MEMS开关,其特征在于,所述内部为层状结构的触点为石墨触点或多层石墨烯触点。8.如权利要求1所述的RF MEMS开关,其特征在于,所述驱动电极包括第一电极和第二电极,所述第一电极与所述悬臂梁的下表面连接,所述第二电极与所述第一电极相对设置。9.如权利要求1至8任一项所述的RF MEMS开关,其特征在于,所述第一触点包括多个并联的第一触点单元,所述第二触点包括多个并联的第二触点单元;当所述第一触点和所述第二触点接触时,所述第一触点单元与所述第二触点单元一一对应接触。10.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括如权利要求1至9任一项所述的RFMEMS开关。

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